Accuris Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Teil 28: Pruefung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device Model (CDM) - Device Level (IEC ... VDE 0884-749-28

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Halbleiterbauelement e - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Teil 28: Pruefung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device Model (CDM) - Device Level (IEC 60749-28:2022); Deutsche Fassung EN IEC 60749-28:2022
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Halbleiterbauelement e - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Teil 28: Pruefung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device Model (CDM) - Device Level (IEC 60749-28:2022); Deutsche Fassung EN IEC 60749-28:2022
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